半導体用語集
集束イオンビーム（FIB）法
英語表記：Focused Ion Beam
Gaイオンビームを集束し、走査型電子顕微鏡（SEM）と同様なシステムで、半導体表面の観察や局所加工をする手法。特に局所領域のみをスパッタし、その側壁を露出させることで、特定個所の断面観察が可能であり、プロセス評価や故障解析に多用されている。
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