半導体用語集
電子衝撃加熱蒸着
英語表記：electron beam evaporation
図1の模式図で示されるような磁場偏向型の電子銃を持つ蒸発源が一般的に用いられている。電子衝撃加熱蒸着法の特は微小面積に高密度の電子ピームを照射できるため、W、Taのような高融点金属やSi02 、 A1203のような化合物の蒸着ができることである。また、水冷銅るつほが一般的に用いられているので、蒸発物質に接触するるつば部材からの蒸発がなく、高純度の膜が形成できる。抵抗加熱方式ではフィラメントやポートを頻繁に交換しなければならないが、電子衝撃加熱方式では、蒸発源構成部品の消耗が少ないので、交換頻度が低く特徴の一つとしてあげられている。図には示していないが、電子ビームの偏向は電子源とるつぼを結びビーム軌道に乖直の面内に附属している小型の電磁石によって行われる。
実験室規模の蒸発源から工業利用のものまで幅広く用いられている。最大出力16kWの蒸発源を持つ装置では Alを最大6μm/mimで成膜できる。るつは容積は最大100ccを超えるものが用されている。
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