半導体用語集
露光機差
英語表記：pattern difference between exposure tools
リソグラフィエ程において使用する露光装置(機)が同一タイプのものであっても装置によって形成されるパターンの形状やパターン寸法に差が生しる場合がある。露光時間などが設定値に対し装置ごとにわずかながら異なることがその一つの原因であるため、露光装置間のキャリプレーション調整を定期的に行うことが必要である。またプロキシミティ方式の場合にはギャップ量の違い、投影露光方式(ミラープロジェクション方式、ステッパ方式)の場合にはフォーカス値の違いなども原因となる。高精度なパターン形成に用いられる縮小投影露光装置の場合には、この他にも投影レンズに起因する各種レンズ収差(コマ収差、非点収差、球面収差など)や照明光学系の収差など個々の装置の投影光学系の設計製造誤差に起因するわすかな差によってもえられるバターンが異なってくる。このような光学系の差に依存する露光機差はパターン寸法やパターン形状によってその影響の大きさが変わるうえ、露光領域内の位置によっても収差は異なるため露光領域全面にわたって露光機差を把握する必要がある。また位置合わせにおいても露光機間で差が生じる。特に縮小投影方式では投影レンズの歪(ディストーション) によりパターンの位置のずれが生じる。複数の露光機によりLSIを作製する場合には投影レンズの歪を合わせ込むことが必要である。
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