半導体用語集
顕微ラマン散乱分光法
英語表記：microscopic Raman spectroscopy
物質の表面近傍に不均ーに分布する物性をラマン散乱分光法を応用してニ次元的に解析評価する技術である。具体的には細く集束したレーザ光を物質表面上で二次元的に走査し，物質表面の異なる位置からラマン散乱光を採集し，おのおののラマンスペクトルを解析することにより物性（物質の組成・構造・歪・不純物など）を二次元的に分布評価する。微視的で微細領域の非破壊評価が可能な技術であり，半導体デバイスの微細化が進む中で，今後ますます広く用いられる技術である。
集束しないレーザ光を用いて物性の二次元分布を顕微鏡像として観測することも可能である。これが通常，ラマン顕微鏡と呼ばれている手法である。具体的には非集光のレーザ光を物質表面に照射し，発生したラマン散乱光をある特定の波数の光だけを通すフィルタで分離した後，カメラで受光し顕微鏡像とする。すなわちある物性に特有のラマンスペクトルのピーク波数で試料表面を顕微鏡観察していることとなる。
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