半導体用語集
高速成膜
英語表記：high deposition rate
W-CVDを半導体製造プロセスに用いる場合、装置の生産性の観点から成膜速度が高いことが求められる。ブランケットW-CVDで利用される水素還元のWの場合、通常使用される反応律速の範囲では、温度が高いほど成膜速度が大きいが、下地へのダメージ軽減や段差被覆性改善の必要性から、低温化への要求も強い。低温化した場合でも、高速成膜を可能とするためには、成膜の圧力を高くすることが有効である。たとえば、 430℃以下の温度でも、数Pa程度の比較的高圧の条件を使用することにより、200nm/分近い成膜速度がえられることが報告されている。
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