半導体用語集
2次イオン質量分析法
英語表記：Secondary Ion Mass Spectrometry
固体表面にkeVオーダーのイオンを照射し、スパッタされて飛び出した粒子のうち、正または負の電荷をもつイオンの質量を測定することにより、固体表面層の微量元素の深さ方向分布を分析する手法。照射イオンには通常、酸素とセシウムが用いられる。質量分析器のタイプによって、セクター（sector）型、四重極（quadropole）型、および飛行時間（time of flight）型に分けられる。飛行時間型では、照射イオンにガリウムが用いられ、主として、固体表面の微量有機分子の分析に用いられる。試料上のイオンビーム径はセクター型と四重極型が最小0.1μmф程度で飛行時間型が最小の0.1μmф程度ある。全元素の分析が可能で、検出下限はppm～ppbである。半導体分野では、ドープした不純物元素の深さ方向定量分析、シリコンウェーハ表面の付着有機分子の同定、パッシベーション膜中の不純物元素の定量などに用いられている。
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