半導体用語集
3D-NANDフラッシュメモリ
英語表記：
従来の2次元NANDフラッシュメモリーは、15nm以上の微細化が困難で集積度が上がらない。ゲート電極となるポリシリコンを多数層積んで、縦にホールを開けてその内面にチャージトラップ型のトランジスタを作製すれば微細化が不要で集積度が上げられる。Tera bitのメモリ素子の可能性がある。
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