半導体用語集
アスペクト比
英語表記：Aspect Ratio
エッチングの深さと幅の寸法比をアスペクト比という。MOSデバイスはスケーリング則によって微細化が進み、デバイスの特性向上や集積度をあげている。しかし、微細化が進んだ結果、平面寸法の縮小に対し、垂直方向の縮小が追随できないために、図のようにアスペクト比が大きくなる傾向がある。DRAMのトレンチキャパシタはアスペクト比15程度が必要となっており、3D-NANDフラッシュメモリでは、30～50程度が要求され、益々大きなアスペクト比が要求されるようになってきている。アスペクト比が高ければ高い程エッチングが難しくなる。高アスペクト比の深堀エッチには低圧力で高密度プラズマを生成できる装置が活躍している。
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