半導体用語集
EL 2準位
英語表記：EL 2 level
ガリウムヒ素結晶中で，最も代表的な深い準位の一つで，フランスのLEP研究所から報告された電子トラップをエネルギーの深い方から順番に並べ，2番目としてのラベルがつけられたことから，EL2と呼ばれるようになった。EL2準位は，ヒ素のアンチサイト欠陥（AsGa）に関連した，深いドナー準位である。孤立したAsGaであるか，AsGaと格子間位置にあるAsとの複合体なのかは，最終的には決着がつけられていない。GaAsだけでなく，AlGaAsやGaAsP，InGaAs混晶中でも検出されている。
GaAs中のEL2準位は，エネルギー位置が伝導帯の底から0.75eV下にあり，電子の熱的な活性化エネルギーは0.815eVである。両者の差は，電子の捕穫に対するエネルギー障壁の大きさを表わし，これは格子緩和に起因している。また，1.13eV付近の近赤外光の照射により，準安定状態に遷移する（フォトクエンチング現象）ことが，大きな特徴である。EL2準位は，フォトルミネッセンスによっても検出され，その発光帯のピークエネルギーは約0.63eVである。
EL2準位は，LEC（Liquid Encapsulated Czhochralski）法，ブリッジマン法，有機金属気相成長法（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）など，Asが過剰な雰囲気下で成長されたGaAs結晶中で検出される。特に，LEC結晶では，残留不純物である炭素アクセプタを補償する深いドナーとしてEL2が積極的に利用され，ノンドープの半絶縁性基板結晶を実現する鍵となっている。
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