半導体用語集
FeRAM構造
英語表記：FeRAM structure
現在実用化されている強誘電体メモリは2T2Cセル（2トランジスタ2キャパシタセル）である。つまり、ダミーセルを1セルごとに持った構造で、1T1Cセル（1トランジスタ1キャパシタセル）にくらべるとセル面積は約2倍となる。しかし、1T1Cセルは2T2Cにくらべて約2倍のスイッチング電荷量を必要とする。読み出しに必要な電荷量は現状のPZT（Pb（Zr、Ti）O₃）や
SBT（SrBi₂Ta₂O₉）でも十分発生できるが、経時変化などで電荷量が滅少したり偏ったりすると誤動作を起こす可能性がある。そのため、温度や電圧などのストレスを加えてもスイッチング電荷量の変化が小さいキャパシタ作成が必要となる。最近では薄膜作成技術の向上により、膜疲労、インプリント（温度･電圧による分極の偏り）特性が改善されており、1T1Cセルの実用化も時間の問題であると考えられる。1T1Cセルヘの移行はセル面積を約半分に縮小できるが、2T2Cセルであっても現状のセル面積を大幅に縮小することができる。それがSTC（Stacked Type Cell）によるセル構造の立体化である。STC構造はキャパシタ面積やデザインルールの変更なしにセル面積を大幅に縮小できる。
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