半導体用語集
NO酸窒化
英語表記：NO nitridation of silicon oxide
酸化膜N2O窒化は、
N2O+O → 2NO
の熱分解反応がまず起こり、一酸化窒素NOが発生して初めて窒化が可能となる。Si酸化膜中に1%以上の窒素をN20で制御性よく導入しようとすると、1, 000℃以上の高温を必要としデバイスの不純物プロファイルを変えてしまう。またN20酸窒化を短時間にRTP処理しようとすると熱分解が不完全になり面内分布が不均一になる。そのため、はじめからNOガスアニールによる窒化ならば、水素を取り込む心配がないうえに、N20窒化で必要となるNO生成熱反応を要せず比較的低温で均一な窒化ができる。MOSトランジスタのVthシフトは、窒化ガスをNOにするかN20にするかには依存せず、単に界面窒素濃度で決まる。したがって、同一処理温度、時間でくらべればNO窒化の方がN20窒化よりもシフトを抑制するこ とができる。酸窒化膜厚が5nmの場合、約1.2%の界面窒素濃度があればVthシフトを完全に抑えることができる。酸窒化膜厚が4nmに薄くなった場合、当然Vthシフトは大きくなり約2倍の開きがあるが、約1.5～2.0 %の界面窒素濃度があればB抜けを完全に抑えることができる。
関連製品
「NO酸窒化」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「NO酸窒化」に関連する用語が存在しません。
「NO酸窒化」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
