半導体用語集
OBIC法
英語表記：OBIC : Optical Beam Induced Current
OBIC法はレーザビームをSiなど半導体に照射した時に発生する電子・正孔対に起因する電流を利用する。被観察デパイスに定電圧を印加した状態で，レーザビームを被観察領域に走査しながら，場所ごとの電流変化を輝度変化として表示することで，明暗の像がえられる。この像の明暗は，レーザビーム照射位置の電界と外部検出器までの経路などに依存するため，異常箇所の検出に利用できる。
古くからある方法であり，70年代から80年代にかけては多くのバリエーションが報告されていたが，日常の故障解析手法としては定着していなかった。90年代に入ってから高感度の電流変化検出器が開発されたこともあり，新たに見直されてきている。検出可能な故障としては，メモリセルでの接合リーク，絶縁膜の欠陥，パイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間のショート，Al配線と基板間のショート，ゲート酸化膜の欠陥，CMOS LSIのγ線による照射損傷などが報告されている。
また，同様の装置構成で，レーザビームを配線部に照射し，加熱した時の電流変化を通常のOBIC法より高感度で検出することで，配線の欠陥を検出する方法として，OBIRCH法とNB-OBIC（Non Bias OBIC）法がある。前者は加熱による抵抗変化を検出し，後者は加熱による熱起電力の発生を検出する。前者は電流経路の観察も可能である。
関連製品
「OBIC法」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「OBIC法」に関連する用語が存在しません。
「OBIC法」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
