半導体用語集
RIEダメージ
英語表記：Reactive Ion Etching damage
コンタクトまたはビアホール開口には、通常レジストマスクを用いて、RIEにより形成される。微細ホールを垂直な側壁形状で形成するために、 反応性ガスをイオン化し、基板にバイアスをかけイオンの引き込みを行うことで、イオンに異方性を持たせエッチングしている。この時、コンタクトまたはビアホール底の半導体、 または下層メタルの表面をイオンでたたくため、表面にダメージ層が生じたり、余分な不純物が半導体または下層メタル表面に取り込まれたりする。 そのような半導体や下層メタル上に、上層メタルを成膜し熱処理を行っても、界面での反応が十分に起こらないため、コンタクト/ビア抵抗が不安定に、かつ高抵抗になったりする。
関連製品
「RIEダメージ」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「RIEダメージ」に関連する用語が存在しません。
「RIEダメージ」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
