半導体用語集
T 字型セル
英語表記：T type cell
DRAMにおけるスタック型キャパシタ構造の一種。凹型セルにおける円筒状の蓄積電極に加え、上部の平坦領域の一部も庇のように蓄積電極として用いる構造。円筒型電極の内側の側壁部分と庇状の電極上部の両方をキャパシタ電極として利用するセルである。キャパシタの形状がT字型をしているのでこの名称で呼ばれている。
T字型セルの一般的な形成方法を以下に示す。COB（Capacitor Over Bit-line）構造のDRAMの場合には、ビット線を形成後にSiO₂などの絶縁膜を形成し表面を平坦化する。その後セルアレーのキャパシタを形成する部分にホール（孔）をあける加工を行い薄い蓄積電極を成長させる。蓄積電極の加工パターンを絶縁膜に形成したホールパターンより大き目にしておくことで、蓄積電極がホールの内壁と絶縁膜上部の一部に形成される。この蓄積電極上にキャパシタ絶縁膜とプレート電極を形成する。
最近のデザインルール微細化の流れの中で、T字型セルは魅力ある構造ではなくなってきている。この理由は庇部分を作る面積を微細なセルの中で確保できなくなってきていること、もし庇部分を作ることができたとしてもその面積は円筒部分の内壁面積にくらベ小さく蓄積容量の増大効果があまり期待できないからである。
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