半導体用語集
ALD(原子層堆積)
英語表記：Atomic Layer Deposition
薄膜を原子層単位で形成する技術で、基板に原子層を一層ずつ積み上げる方法。
＊ALD膜の形成原理（真空中）
①形成しようとする元祖を含んだA反応物を基板に供給すると、化学的に基板へ吸着する。
②吸着反応物はある条件下で単原子層で飽和し、過剰反応物は副生成物と共に排気される。（表面反応の自己停止機構）
③次にB反応物を供給すると、既に基板に吸着しているA反応物と反応・吸着する。
④過剰なB反応物と副生成物は排気される。（2種類の膜が堆積される）
⑤①～④工程を1サイクルとし、サイクル数を繰り返すことで、所望する膜厚を得ることができる。
＊特徴；膜厚均一性、膜厚の制御性、ステップカバレッジダメージ耐性に優れてる。生産性が課題である。
＊応用は、high/k、ゲート絶縁膜、DRAMキャパシタ、メタルゲート電極、その他多くの分野で期待されている。
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