半導体用語集
APM洗浄
英語表記：ammonia-hydrogen peroxide mixture cleaning
1970年にRCA社が提唱した、半導体デバイス製造プロセスにおけるウェーハ洗浄法の一つであり、SC－1洗浄とも呼ぶ。アンモニア水と過酸化水素水と純水が1：1～2：5～7の容積配合比で組成された洗浄液で、温度：約80℃、時間：10～20分の浸漬処理にてウェーハを洗浄する。主に有機物と粒子除去に効果があり、自然酸化膜を形成した状態でシリコンをエッチする機能をもつ。シリコン表面の粗さの劣化を抑制するためにアンモニア水の配合比を低くして用いることもある。
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