半導体用語集
CZ法（チョクラルスキ法）
英語表記：Czochralski Method
単結晶成長法の一つ。シリコン単結晶成長では、粗く砕いた超高純度多結晶シリコンを石英ルツボに入れグラファイトヒーターの加熱炉で溶融状態にする。これにはあらかじめ結晶の低効率と導電形をきめるための添加剤としてP型ならホウ素（Boron）、N型ならリン（P）やアンチモン（Sb）を添加しておく。結晶の引き上げ炉の内部にアルゴンガスを充填しておき、ピアノ線に吊るしたシリコンの小片種結晶を融液面に接触させルツポとは逆方向回転させながら、上方向にゆっくり引上げることにより融液が固化する時、種結晶にならって同じ結晶構造をもつ単結晶が成長しシリコンのインゴットが得られる。
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