半導体用語集

FET(電界効果トランジスタ)

英語表記:Field Effect Transistor

ソース(水源の意)からドレイン(吸い込み口)へ電流を流す時、途中のゲート(水門)にかける電圧によって電子の流れる量(水流)を制御するデバイスをFETと言う。電流の流れる部分をチャンネルと呼んでいる。MOS FETでは、絶縁物の酸化膜を挟んでゲート電極があり、ゲート電極の電圧により、酸化膜の下に電荷を誘起してチャンネルを形成し、ソースからドレインに電流を流す。MOSLSIの基本デバイスです。接合型FET(Junction FET)では、ゲート電極の電圧によって空乏層の幅を変える事により、ドレイン電流を制御する。JFETと呼ばれる。MES FETでは、ゲートが金属と半導体間のショットキ接合で形成され、ゲートの電圧によって空乏層の幅を変え、ドレイン電流を制御する。化合物半導体で用いられるデバイス。


関連製品

「FET(電界効果トランジスタ)」に関連する製品が存在しません。

関連用語

関連特集

「FET(電界効果トランジスタ)」に関連する用語が存在しません。




「FET(電界効果トランジスタ)」に関連する特集が存在しません。




会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。