半導体用語集
FPM洗浄
英語表記：hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture cleaning
1970年にRCA社が提唱した、半導体デバイス製造プロセスにおける基板洗浄法の一つである。0.5％のフッ素に1～10％の過酸化水素水を混合した洗浄液で、室温での浸漬処理にて基板を洗浄する。金属不純物除去とともにシリコン表面の酸化膜除去が行える。
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