半導体用語集
Law-k膜
英語表記：
LSIの高速化・低消費電力化に伴い配線遅延が顕在化した。遅延を制御する為に配線抵抗や寄生容量の低減が求められている。配線間容量の低減方法の一つとして低誘電率（Low-k）材料の導入が進んでいる。低誘電率膜材料は分極を低くする方法と膜の密度を下げる方法がある。後者の材料としてのポーラス（多孔質）膜は低誘電率化の効率が高い。しかしポーラスLow-k膜は低誘電率特性（k<2.5）に満足できても機械的な強度が弱くクラックや膜剥がれ等の問題がある。
関連製品
「Law-k膜」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「Law-k膜」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
