半導体用語集
MRAM(1)
英語表記：MagnetoresistiveRandom Access Memory
MRAMはMagnetoresistiveRandom Access Memoryの事で磁気抵抗効果を用いたRAMである。電流が切れても、記録データは保存される。MOSトランジスタのソース上に磁気セルが載っている。磁化方向固定層と反転可能層の間のトンネル電流が両者の磁気の向きによって変わり、その抵抗値が変る。直交する書き込みワード線間にあるセルに対して、両ラインにパルス電流を流すとその磁場でセルの反転可能層の磁束方向を変えて記憶する。高速書き込みが可能。1トランジスタメモリなので高密度になるが、書き込み電流の近接セルへの干渉効果で限界があるとされる。DRAMより小電力。FRAMより高速、小電力、長寿命。ただし、まだ開発段階。
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