半導体用語集
MRAM(2) (STT-MRAM)
英語表記：
近年従来の電流による磁場反転に代わって、Spin InjectionというTMR（Tunneling Magnet-Resistance）素子を貫通する電流によってフリー層の磁化を反転するMRAMの開発、実用化が活発化している。図で上から下へ電流が注入される場合はフリー層の磁場が固定層の磁場と平行になり、トンネル電気抵抗は低い。逆は逆になり、記憶素子が出来る。トランジスタは状態の選択に用いる。これにより、ワード線が要らなくなるのみならず、書き込みかき消し用電流による磁場漏洩がなくなるので、微細化の限界も緩和される。(数十分の1の電流) 電子が強磁性体（フリー層）に注入されると角運動量を受け取り、Spinの反転をもたらす。上から下への電流は反平行から平行へ、逆は逆だが、この際、電子は固定層界面で反射されるものが反転に寄与。
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