半導体用語集

ReRAM

英語表記：Resistive Random Access Memory

ReRAMはResistive Random Access Memoryの略で、電圧印加により電気抵抗が変化する性質を利用した半導体メモリの一種である。RRAMとか、抵抗変化型メモリとも呼ばれる。（RRAMはシャープの登録商標である。）電圧印加により電気抵抗が大きく変化するCER（Colossal Electro-Resistance）効果を利用してメモリを構成している。　　　　　　　　・電圧で書き換える為、消費電力が小さい。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・比較的単純な構造で高密度化が可能。
・読み出し時間がDRAM並みで高速　　


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