半導体用語集
RIE（反応性イオンエッチング）
英語表記：Reactive Ion Etching
平衡平板型のRIE装置の動作原理は電極間に架けたRFにより、反応ガスの放電が起こりプラズマを生成する。プラズマ中の活性種（イオンとラジカル）がウェハ表面近くにできたセルフバイアスの働きで、イオンのスパッタ反応とラジカルの化学反応が同時進行し異方性の強いエッチングができる。これが反応性イオンエッチングまたはイオンアシストエッチング、即ちRIEである。
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