半導体用語集
RTA(高温短時間アニール)
英語表記：Rapid Thermal Anneal
RTPのうち、主にイオン注入損傷の回復、注入不純物の電気的活性化等のために行う熱処理をRTAと呼ぶ。注入不純物の活性化の場合、長時間アニールでは熱拡散によって不純物分布の形が崩れ、接合が深くなる。これを防ぐためには短時間のアニールが必要となるが、活性化率を確保するにはより高温でアニールしなければならない。このため、抵抗加熱炉で900℃～1000℃で行うバッチ式のアニールに代わって、ハロゲンランプを照射して1秒程度の短時間に1000℃～1150℃でアニールをする枚葉式のRTAが採用されるようになった。近年は、熱拡散を抑制するためにフラッシュランプやレーザーを用い、ncecレベルでアニールする方法も使われるようになってきた。
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