半導体用語集
SOI結晶
英語表記：Silicon on Insulator
通常のMOSFETは素子間分離をWellで行っているが、寄生ダイオードやサブストレートとの浮遊容量が生じ特性を悪化させる。これを改善するためにMOSFETとバルクの間に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らすための方法がSOI技術である。SOIウェハの製造法はいくつかあるが、Soitec社が開発した水素イオン注入と基板貼り合わせ技術を組み合わせたSmart-Cut技術を利用したUNI-BOND法が主流となっている。LSIの微細化が進み、短チャネル効果を抑制するため、極めて薄い（10nm程度）のSiO2を用いたFD-SOI（Fully Depleted SOI）が実用化されている。
関連製品
「SOI結晶」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「SOI結晶」に関連する用語が存在しません。
「SOI結晶」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
