半導体用語集
SPM洗浄
英語表記：sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture cleaning
1970年にRCA社が提唱した、半導体デバイス製造プロセスにおけるウェーハ洗浄法の一つであり、ピラニア洗浄とも呼ぶ。硫酸と過酸化水素水が1：0.25～1の容積配合比で組成された洗浄液で、温度：130℃、時間：10～20分の浸漬処理にてウェーハを洗浄する。有機物除去に効果があり、リソグラフィ工程におけるレジスト剥離などに用いられる。
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