半導体用語集
イオン注入ダメージ
英語表記：Implant Damage
イオン注入はSi結晶基板の導電層形成やpoly Si膜への不純物の導入に用いられ、注入量や注入の深さを高精度に制御できる方法である。半面、注入イオンはSi基板結晶の格子位置の原子を弾き飛ばし（knock on）、空孔（原子の無い格子位置）や格子間Si（格子位置の隙間にあるSi）を発生させる（イオン注入損傷）。これらを点欠陥と呼ぶが、この点欠陥は約1000℃の温度で熱処理（アニール）すると短時間で結晶が回復し、注入されたイオンは電気的に活性化される。熱処理は不純物を再分布させずに活性化させるためにより高温、短時間で行うことが要求される。
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