半導体用語集
インナリードボンダ
英語表記：Inner Lead bonder
半導体チップのバンプとTABテープのインナリードを接続する装置。ILボンダとも呼ぶ。
インナリードボンダは二つの接続方式があり、バンプとインナリードを一括で接続する方式をギャングボンダ（gang bonder）、バンプとインナリードを1本ずつ接続する方式をシングルポイントボンダ（single point bonder）という。シングルポイントボンダは生産性が低く、一括接続が困難な多ピン、ファインピッチなどの特殊なパッケージを除いて適用例は少ない。現在は生産性に優れた、ギャングボンダが主流である。したがって、通常ILボンダといえばギャングボンダを指す。
ギャングボンダは、TABテープの搬送機構、半導体チップの搬送機構、位置合わせ機構、ボンディング機構から構成される。TABテープの搬送機構は、リールで供給されるTABテープを引き出し、加工点まで搬送し、反対側のリールに巻き取る。半導体チップの搬送機構は、リングに貼りつけられた状態で供給されるウェハから、1つずつ半導体ペレットを取り出しチップステージに搭載する。位置合わせ機構は、チップステージ上の半導体チップと、加工点上のTABテープをそれぞれ画像処理により位置検出し、適切な補正移動量を計算する。ボンディング機構は、位置合わせ機構で計算したデータからチップステージを移動してパッドとリードを位置合わせ後に、ボンディングツールにて加熱、加圧して接続する。ボンディング時の加工点温度は約500℃である。加圧に使用されるボンディングツールは各バンプを均ーに加圧するため、500℃状態で平面度1µm以下が要求される。同様にボンディングツールと半導体チップの傾きも重要であり、半導体チップ全面で4µm以下の平行状態が要求される。また、位置合わせ精度は半導体組立工程で最も厳しく、現状で5µm以下が要求される。
シングルポイントボンダの構成は、ほぼギャングボンダと同じであり、加工点部のボンディングヘッドが異なる。ボンディングヘッドの構造はワイヤボンダとほぼ同じである。加工点ではツールの超音波振動と、ステージからの加熱により接合する。
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