半導体用語集
インナリードボンダ
英語表記：Inner Lead bonder
半導体チップのバンプとTABテープのインナリードを接続する装置。ILボンダとも呼ぶ。
インナリードボンダは二つの接続方式があり，バンプとインナリードを一括で接続する方式をギャングボンダ（gang bonder），バンプとインナリードを1本ずつ接続する方式をシングルポイントボンダ（single point bonder）という。シングルポイントボンダは生産性が低く，一括接続が困難な多ピン，ファインピッチなどの特殊なパッケージを除いて適用例は少ない。現在は生産性に優れた，ギャングボンダが主流である。したがって，通常ILボンダといえばギャングボンダを指す。
ギャングボンダは，TABテープの搬送機構，半導体チップの搬送機構，位置合わせ機構ボンディング機構から構成される。TABテープの搬送機構は，リールで供給されるTABテープを引き出し，加工点まで搬送し，反対側のリールに巻き取る。半導体チップの搬送機構は，リングに貼りつけられた状態で供給されるウェハから，1つずつ半導体ペレットを取り出しチップステージに搭載する。位置合わせ機構は．チップステージ上の半導体チップと，加工点上のTABテープをそれぞれ画像処理により位置検出し，適切な補正移動量を計算する。ボンディング機構は，位置合わせ機構で計算したデータからチップステージを移動してパッドとリードを位置合わせ後に，ボンディングツールにて加熱，加圧して接続する。ボンディング時の加工点温度は約500℃である。加圧に使用されるボンディングツールは各バンプを均ーに加圧するため，500℃状態で平面度lµm以下が要求される。同様にボンディングツールと半導体チップの傾きも重要であり．半導体チップ全面で4µm以下の平行状態が要求される。また，位置合わせ精度は半導体組立工程で最も厳しく，現状で5µm以下が要求される。
シングルポイントボンダの構成は，ほぼギャングボンダと同じであり，加工点部のボンディングヘッドが異なる。ボンディングヘッドの構造はワイヤボンダとほぼ同じである。加工点ではツールの超音波振動と，ステージからの加熱により接合する。
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