半導体用語集
ウェットエッチング装置
英語表記：wet etching equipment
<p>ウェットエッチングは、ウェハをエッチャントの入っている容器の中に漬ける。</p><p>例として、シリコン酸化膜をエッチングする場合、シリコン酸化膜 (Si02)はフッ酸(HF) (フッ化水素を水に溶かしたもの)に溶解するが Siは溶解しない。したがって大きな選択比がえられる。しかし、ウェットエッチングは完全な化学反応であるので、エッチング速度は温度に強く影響を受ける。またウェハ周辺に存在する反応種の濃度にも影響を受ける。した がって温度、濃度を一様に保つことが必要である。</p><p>さらにウェットエッチング方式は、原理的に等方性であり、縦方向にエッチングされると同時に、横方向にもエッチングが進む。ウエットエッチングングでは、化学反応のためエッチングのばらつきが大きく、0.25μm精度を出すのは困難である。</p>
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