半導体用語集
エクストリンシックゲッタリング
英語表記：extrinsic gettering
シリコンウェーハの裏面をSiO2粒子のホーニングや研削で生ずる機械歪層、ポリシリコン膜や窒化膜のコーティングなどにより生ずる歪層、リン拡散で形成されるリンガラス層などシリコンウェーハの外部に形成された領域の欠陥や歪みなどを、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として利用するゲッタリング方法。インターナルゲッタリングとは異なり、簡単な工程追加で材料特性の改善ができる利点があるが、デバイス製造の酸化やエッチングなどの工程を経ると歪層やコーティング膜がなくなり、ゲッタリング効果が減退する欠点がある。エクスターナルゲッタリングともいう。
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