半導体用語集
エッチング反応生成物
英語表記:creative product by etching reaction
ホール形成のためのエッチング時にはホール底や側壁に反応生成物が付着する。特に最近、微細径で垂直な側壁を持つホールを形成するために、積極的に側壁に反応生成物を堆積させ、側壁を保護するエッチング方法が用いられている。このため、ホール開口後の上層メタル成膜前に反応生成物が完全に除去されていないと、接触不良やコンタクト抵抗の高抵抗化、不安定な接触を引き起こすことになる。
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