半導体用語集
ゴースト法
英語表記：GOHST method
所望のパターンで第一の露光を行った後、電子の後方散乱径程度にほかしたビームの反転パターンで第二の露光を行い、近接効果を補正する方法をゴースト法という。反転パターンを後方散乱径程度にぼかすことによって、第一の露光において生じた後方散乱電子の寄与を補償することができる。ゴースト露光は、 えられる蓄積エネルギー分布は厳密解で計算されたものとほぼ一致する他、 照射量補正のような複雑なデータ変換処理は不要であるとの利点がある。このため、露光すべき品種が毎回異なるレチクル描画では, 描画データ作成に時間のかかる照射量補正よりもゴースト法がより適している。しかしながら、 多重露光によるスループットの低下や、本来露光されなくてもよい部分にも露光を行うことによる蓄積エネルギーコントラストの低下が問題となる。レジスト中の蓄積エネルギーコントラストの低下は、レジストパターン形状の劣化や、プロセス裕度の低下をもたらす。スループットの向上に対しては、反転パターンを後方散乱径程度の領域に分割し、領域内の図形を同じ面積を有する1個の図形に置き換えて露光する方法(代表図形法)が提案されている。また、エネルギーコントラストの劣化に対しては、パターン内に存在する最大のパターン密度をあらかじめ調べておき、必要最小限の露光量でゴースト露光を行う方法が提案されている。
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