半導体用語集
代表図形法
英語表記：representative figure method
代表図形法は、パターンを後方散乱程度の大きさの小領域(こ分割し,各小領域に対して、同じ面積土目を有する1個の矩形図形(代表図形)を設定するもので、照射量補正における逐次計算では、この各代表図形に対して、周辺図形からの後方散乱電子の寄与を計算し、パターン密度の関数で与えられる最適露光量を計算する。この方法によれば、計算すべき図形数を大幅に削減できるため、最適な露光量を計算する際の計算時間を短縮できる。計算時間は、小領域の数にのみ依存するため、 パターン内の図形数が増大しても計算時間が大きくなることはない。また、 小領域内に対して、最適露光量を設定するため、各図形に対して露光量を設、凭するよりも大幅にデータ量を圧縮することが可能となる。ゴースト法においては、反転パターンに対して代表図形処理を行うことにより露光すべき図形数を削減できる。このため、ゴースト法における補助露光の露光時間を短縮することが可能となる。
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