半導体用語集
シリコントランジスタ
英語表記：silicon transistor
最初にRCA社で量産化されたのは合金接合型ゲルマニウムトランジスタであったが、高周波特性や信頼性に限界があった。1956年にシリコントランジスタが開発されてからは、高周波特性がよく信頼性が高く高温でも性能劣化が少ないため、軍事用にも急速に移行が進んだ。軍用だけでなく、大型カラーテレビや電卓にもトランジスタが採用されることになる。しかし、現在の半導体産業と同様に、当時もトランジスタ製造での最大の課題の一つは歩留りであり、塵やガスによって性能が劣化したり、配線が断線したりした。この課題を解決したのが1959年のホーニーのアイデアである。すなわち、トランジスタの表面を酸化膜で覆えば、塵やガスなどの汚染物から内部を保護でき、性能劣化も抑えられるというプレーナ構造の提案であり、これによって大量生産が可能になったのである。しかしこのアイデアには、 もっと大きな潜在性があることをロバート・ノイスは気づいていた。これこそが、シリコンウェハの上に複数のトランジスタや抵抗器などを載せ、それらを相互に接続して一体化した集積回路（IC）への応用である。
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