半導体用語集
ストリエーション
英語表記：striation
単結晶から成長軸に垂直にサンプルを切り出し、SR法にて微小な間隔で半径方向に抵抗率分布を測定すると、抵抗率の細かな凸凹が観察される。また、Sbのヘビードープ結晶を成長軸方向に縦割りにして取得したサンプルをライト液などで選択エッチングすると縞模様が観察できる。この縞模様は、ドーパント濃度差がエッチング速度差を生じ、結果的に凸凹になったことで現れたものである。これらは、強制対流や熱対流などによって、成長速度が変化し、有効偏析計数に変化を与えることで発生するドーパントの濃度ムラである。これをドーパントのストリエーションと呼ぶ。また、結晶の中心と融液温度の中心がずれている環境下では、結晶回転速度の周期で、温度ムラを体験することになるため、これもストリエーションを発生させる大きな要因となる。なお、対流によるストリエーションを抑制するには、磁場印加が一つの有効な手段である。
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