半導体用語集
発生ライフタイム
英語表記：generation lifetime
逆バイアスを印加した空乏層のようにキャリア密度が0とみなせる領域での単位時間当たりの電子正孔対の発生率をGとすると、発生ライフタイムτg は、
τg = ni / G （Ｓ）
で定義される。ここで、ni は真性キャリア密度である。発生ライフタイムの測定にはMOS構造のC-ｔ特性測定法（MOS C-t法）などを用いる。実験法は大別して電圧パルスを加えてその過渡応答から求めるパルス法と直線掃引電圧をかけてその応答から求めるlinear sweep法がある。解析法にはZerbst解析、Schroderの近似解析、酸化膜が厚い場合に用いるHuangがある。
MOS構造の評価例ではτg がウェハ面内でスワール状の積層欠陥密度と逆相関を示す例がある。またストリエーション状の不均一な比抵抗分布に対しては上式で説明されるとおり、逆相関が観測される。通常、発生ライフタイムの方が再結合ライフタイムより長くなる。
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