半導体用語集
チャージアップダメージ
英語表記：Charge up Damage
RIEエッチングの過程で、イオンの照射により、ウエハ表面に発生する損傷をチャージアップダメージという。発生原因はエッチング速度の面内バラツキを考慮し、面内の全てがエッチオフされる迄、エッチングを続けるために、部分的にオーバーエッチになる。このため既にエッチオフされた領域が過剰エッチング状態にさらされる。ゲート絶縁膜を挟んだコンデンサ構造となっている。プラズマに晒された配線層は帯電し、基板との間に電位差ができる。ゲート絶縁膜に電解が架かると微小電流が流れ、ある限界点を超えると損傷に至る。ゲート絶縁膜に電界が架かると微小電流が流れ、ある限界点を超えると損傷に至る。ゲート絶縁膜の面積に比べて、配線層の面積が大きい場合、電流がゲート絶縁膜に集中して流れて破壊し易くなる。
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