半導体用語集
ドープトオキサイド
英語表記：doped oxide
Si基板上の所望の領域に、固相拡散で不純物を拡散する際に、ドープトポリシリコンとともにドープトオキサイド(P、As、Bなどを含んだガラス) が拡散源として用いられている。ドープトオキサイドはCVD法や塗布ガラス法によって形成される。素子構造が三次元化するにつれ、イオン主入法では困難な、トレンチの側壁部などへの ドーピングが必要となっている。そのような場合のドーピング法として、最近ドープトオキサイドの有用性が見直されている。CVD法を用いる場合には最初にSiH4、02、それに不純物を含んだガス (PH3、B2H6、ASH3を用いて、不純物がSi基板中に拡散しない程度の低温 (400 ~ 500℃ )でドープトオキサイドを形成する。堆積されたドープトオキサイドを、拡散炉中で900 ～1,000℃の温度で加熱することによって、ドープトオキサイド中に含まれた不純物をSi基板側に拡散 (ドライプイン)する。塗布ガラス法を用いたドープトオキサイドの形成は、不純物を含んだ有機溶剤をレジスト塗布と同様の方法で回転塗布した後に、低温でキアして有機溶剤を蒸発させることによってなされる。CVD法にくらべ、簡易な装置で安全にAsを含んだガラスを形成できるという利点がある。
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