半導体用語集
バックサイドダメージ
英語表記：BSD(Backside Damage)
シリコンウェハに、LSI製造の過程で入ってしまう汚染や欠陥がLSIの性能や信頼性に影響を与えないようにLSI として使わない部分に吸収させてしまうゲッタリングと呼ばれる機能を付与する手段の一つである。ゲッタリングの手法にはいろいろあるが、BSDはその中でも商業的に広く用いられている手段であり、手法の分類としてはエキストリンシックゲッタリングに属する。BSD加工の手段にはホーニング法、 サンドブラスト法、スクラッチ法など があるが,これらの方式名称はその定 義が部分的にオーバラップしているの で,それぞれがまったく別の手段を指しているわけではない。日本国内のシリコンウェハ製造メーカーで多く用いられているのは、サンドブラスト法あるいはこれのバリエーションであると思われるが、関係者間での議論ではホーニング法という呼び方をすることもある。いずれの方法にしても、シリコンウェハの裏面を小さな粒子あるいは突起物で機械的に叩くなり擦るなりの方法で顕微鏡～電子顕微鏡レベルの微細な傷あるいは圧痕をつけ、これによって生じる機械的な歪をゲッタリングシンク(gettering think)として利用するものである。このようにしてシリコンウェハの裏面につけ加えられた機械的なダメージは、LSI 製造工程の中の熱処理によっ て結晶欠陥を多数発生させる。結晶欠陥は、熱力学的理由から、周囲の不純物や他の結晶欠陥を捕獲吸収(get)するシンク(think=流し台の穴)の ような振る舞いをするので、LSIとして機能させるわけではないウェハの裏面にBSD処理を施すことによって多数の結晶欠陥が生じるようにしておくことでLSIとして機能するウェハ表面側に留まる不純物や欠陥を大幅に減少させることができるのである。
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