半導体用語集
バリアメタル
英語表記：barrier metal
バリアメタルは配線・電極金属を直接半導体に接触させて熱処理する場合に起こる金属と半導体の相互拡散による半導体基板中への金属の拡散侵入を防ぐため、金属と半導体基板の間に相互の反応が起きないように挟む金属またはシリサイ ドのことで、反応性が低く、かつ抵抗率の小さい材料が選ばれる。代表的なものに、チタンナイトライド（TiN）、タンタルナイトライド（TaN）、タングステンナイトライド（WN）などの高融点金属窒化物、WSi₂などのシリサイ ドがあり、高融点金属窒化物の形成方法はTiなどの純金属をアルゴン（Ar）と窒素（N₂）の混合ガスでスパッタリングして窒化チタン（TiN）を形成する反応性スパッタ法や、TiCl₄とNH₃を反応させてTiNを合成するCVD法がある。
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