半導体用語集
メタライゼーション
英語表記：metallization
半導体デバイス製造プロセスにおける電極配線技術のことをいう。 配線材料は低抵抗金属であるアルミニウム(Al)、銅 (Cu)、およびその合金のアルミ-シリコン(Al-1%Si)、アルミ銅 (Al-0. 5%Cu)、アルミ-シリコン銅(Al-1%Si-0. 5%Cu)がある。さらに高融点金属のタングステン (W)、モリブデン(MO) 、タンタル (Ta)、チタン (Ti)、チタンタングステン(TiW)などは、これらの窒化物とともにバリアメタルとして用いられる。高融点金属、遷移金属、貴金属とSiは600 ～700℃の温度で反応して低抵抗で耐熱性のあるシリサイド (silicide)を形成し、高温プロセスが必要なゲート電極材料として用いられる。代表的なシリサイドにはタングステンシリサイド(WSi2)、モリプデンシリサイド(MoSi2)、チタンシリサイド(TiSi2)、コバルトシリサイド (CoSi2)、白金シリサイド(PtSi2)などがある。これらの金属あるいはシリサイド薄膜の製造方法は物理的成膜法として蒸着(evaporation)やスパッタリング(sputtering)、化学的成膜法としてCVD (Chemical Vapor Deposition)がある。
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Lam Research
CVD技術とALD技術を組み合わせることで、先進的なタングステンメタライゼーション用途の高度なコンフォーマル金属膜を成膜する
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 成膜装置 › ALD装置
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