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Lam Research
最終更新日: 2022年07月15日

CVD技術とALD技術を組み合わせることで、先進的なタングステンメタライゼーション用途の高度なコンフォーマル金属膜を成膜する

〇業界のベンチマークとなるタングステン埋め込みの生産性
ラムリサーチ固有のパルスニュークリエーション膜(Pulsed Nucleation Layer:PNL)AL〇同社独自プロセスによるニュークリエーション層形成及び、当社特許のマルチステーション連続成膜(Multi-Station Sequential Deposition:MSSD)機能により、CVD のバルク埋め込みを同一装置内(in-situ)で実現
〇ALD によって全体的な電気抵抗が低いW 薄膜を実現。より薄い膜厚でCVDによるバルク埋め込みの結晶粒径成長も改善
〇先端 3D NANDやDRAMに適した低フッ素、低ストレスのタングステン埋め込み
〇WN膜の成膜にALDを採用する事で従来のバリア膜よりも薄い膜厚で高いステップカバレージを実現

基本情報

主なアプリケーション
〇タングステンプラグ、コンタクトホールやビアの埋め込み
〇3D NAND のワードライン
〇低ストレスコンポジット多層配線
〇ビアやコンタクトホールのメタライズ工程のためのWNバリア

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取扱企業

Lam Research

業種:産業用機械 4650 Cushing Parkway,Fremont, CA 94538,United States 

革新的な製造装置で各社のシリコンロードマップ達成に貢献

デポジション(金属配線薄膜、絶縁膜、薄膜処理)、エッチング(導電性材料、絶縁膜材料、ディープエッチ)、ストリップ&クリーン(表面処理、洗浄)の製品をラインナップしている。微細加工と高い生産を両立させている。

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