半導体用語集
パワーMOS FET
英語表記：
MOSFETの一種で、特にパワー用途に適する様に設計されたパワーデバイスです。一般に縦型DMOS（Diffused MOS）構造です。チップ面積当たりの電流密度を高く取る事が出来易い構造で、大電流を扱うことが出来る。縦型プレーナ構造は、製造工程が簡単で作り易いが、電流通路に接合FETが形成され、ON抵抗に限界がある。トレンチ構造は、シリコンに溝（Trenchi）を彫り込み、ゲート酸化膜、ゲート電極（ポリシリコン）を埋め込む事により、ON抵抗が大幅に縮小出来、特に低電圧用途に生産されている。特性改善が進み、バイポーラトランジスタからの置き換えが進んでいる。
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