半導体用語集
IGBT
英語表記：Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBTは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略で、MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を兼ね備えたパワーデバイスである。基本断面構造を左図に示すが、縦型パワーMOS FETのN基板をP+基板に置き換えた構造で、基板のP+領域からN-領域へ正孔が注入され、N+領域の伝導度変調により、より大電流が流せ、オン抵抗も減少する。パワーMOS FETより、スイッチング速度は遅いが、同一チップ面積で数倍の電流が扱える。パワー用バイポーラトランジスタの市場からIGBTへの置き換えが進んでいる。
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