半導体用語集

フラッシュ蒸着

英語表記:flush deposition

 物理的成膜技術の一つである。通常の加熱による金属薄膜堆積法である真空蒸着法で、合金を蒸着させる場合、堆積した薄膜の組成は原材料の組成と異なる。定性的には、蒸気圧の高い元素の方が合金になっても蒸発しやすいので、蒸気圧の異なる二つ以上の元素からなる合金をそのまま加熱蒸発させると、堆積膜の組成は蒸気圧の高い元素をより多く含むことになる。
 フラッシュ蒸着は、蒸発材料(合金)を細かい粒にして、加熱蒸発源に少量づつ落下させ、おのおのの粒を瞬間的に蒸発させる方法である。三元や四元材料であっても利用できる特徴があるが、堆積速度制御が難しいなどの欠点がある。
 1970年代のSiウェハプロセスでは Al金属蒸着に利用されたが、今日のLSIウェハプロセスで利用されることはほとんどなく、スパッタ法が利用されている。

関連製品

「フラッシュ蒸着」に関連する製品が存在しません。

関連用語

関連特集

「フラッシュ蒸着」に関連する特集が存在しません。




会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。