半導体用語集
ブラシスクラバ
英語表記：brush scrubbing
ブラシスクラバは比較的径の大きい (＞1μm)パーティクルを除去するために用いられる機械的洗浄方法である。水、イソプロピルアルコール、あるいはその他の薬液(界面活性剤を適宜添加する場合もある)をスプレー状にウェハ表面に供給しながら、ナイロンなどの疎水性の材料のプラシを回転させ、被洗浄物であるウェハ表面に接近させる。 この時クッションとなる液体層を常にプラシとウェハ表面に形成させながら、適当な圧力をブラシからウェハ表面に加え、このブラシの回転と圧力によりパーティクルを除去する。 この時過大な圧力をウェハ表面に加えると、表面に傷などのダメージを与えるので、処理条件の決定および装置の調整は入念に行わなければならない。 またこの方法は微細な溝や、穴などのパターンが存在するウェハ表面の洗浄には不向きである。したがって、インゴットからシリコンウェハをスライスして切り出した後や、 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 工程後など、比較的大量のパーティクルが付着している表面からある程度それらを除去するために用いられる。そしてこの工程の後に通常の化学的なウェット洗浄により、表面を清浄化する。
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