半導体用語集
プラズマドーピング装置
英語表記：plasma doping system
ドープする不純物原子を含んだガス中でクロー放電プラズマを発生させて低温（200~300℃）で不純物を高濃度にドーピングする装置。低温でドーピング処理が行われるため、ウェーハの反りや曲がりを防止することができる。
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