半導体用語集
プロキシミティベーク
英語表記：proximity bake
ウェーハの加熱処理において、加熱プレートに吸着させずに、ウェーハとプレート間に0.1～0.5mmのギャップをスペーサにより設け、放射熱により加熱する方法。従来の接触式加熱方式（コンタクトベーク）から、裏面の汚染防止のために改良されたもの。プロキシミティベークの場合、コンタクトべークにくらべてべーキング時の基板の温度上昇速度が遅いので、べーキング時間は長く取る必要がある。
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