半導体用語集
プロキシミティベーク
英語表記：proximity bake
基板とベークプレートの間にプロキシミティギャップを設けた状態でベークを行う方法をプロキシミティベークと呼ぶ。基板とベークプレート上のパーティクルが基板裏面に付着し、その後の露光処理でデフォーカスの要因になったりする場合があるため、このようなパーティクルの裏面付着を防止するために広く用いられている。プロキシミティベークに対して、基板とベークプレートを接触させて行うベーキングはコンタクトベークと呼ばれる。一般的に、プロキシミティギャップとしては0.1～0.2μm程度が用いられることが多い。プロキシミティベークの場合、コンタクトべークにくらべてべーキング時の基板の温度上昇速度が遅いので、べーキング時間は長く取る必要がある。
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