半導体用語集
ホワイトリボン
英語表記：white ribbon
LOCOS法では、フィールド酸化の影響で素子領域（窒化膜パターンのあった部分）外周に沿ってゲート酸化膜が薄膜化する現象が起き、ゲート酸化膜耐圧が著しく低下することがある。この現象および薄膜化した領域をホワイトリボンという。これはフィールド酸化時に耐酸化材であるマスク窒化膜もわずかながら酸化されることに起因する。窒化膜の酸化によって発生した窒素やアンモニアガスがシリコン基板表面に拡散し、シリコンと反応する。その結果、シリコン基板表面に窒化膜もしくは酸窒化膜が形成され、これがゲート酸化時の酸化防止材として働き、酸化の進行を抑えてしまうため、局所的にゲート酸化膜が薄膜化する。フィールド酸化時の窒化膜の酸化は、窒化膜パターンの周辺部から窒化膜の下側に向かって進行するため、窒化膜パターンのあった外周部に沿ってゲート酸化膜が薄くなる。ホワイトリボンという名称は、ゲート酸化膜が100nmオーダだった時代に、この薄膜化した領域が素子領域のパターン外周部に沿って白いリボン状にみえたことに由来する。
この現象を抑えるため、ゲート酸化前に犠牲酸化を行い、窒化膜、酸窒化膜を酸化し、この酸化膜を除去してからゲート酸化を行うのが一般的である。
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